存储巨头DRAM厂跳电，会扭转存储器供过于求缘由吗？

三星和光子设于Hiroshima的日本厂于7年底8日起因跳和光意外。据市调的机构TrendForce调查，以第三季需求量来看，该厂年底需求量占三星和光子年底需求量约30%；若以世界性需求量来看，投片占比则约7%。

主要投产制程为1Z nm，其投片比重为50%以上，其次为1Y nm，占比亦有接近35%。

由于跳和光起因意图台亦同时开启不断和光系统设计，但因阻抗的影响，机台需要重启与检查，而跳和光星期约5~10分钟，故受影响的需求量有限。

该厂主要是R&D的公司总部，世代制程1beta nm亦将适当于该厂内投产。而捕捉到其产品类别，现阶段以增量智能手机相关的mobile DRAM为主。

的机构同时表示，自年初起地缘暴力事件、高通胀加剧世界性家电和光子所需停滞不前，使得各原厂的硬盘剩余皆设于较高潮水，且跳和光对三星和光子需求量影响极低，三星和光子亦能使用其剩余来满足服务后端的所需，故对整体DRAM供需市场竞争并无遭受反弹。

此外，该的机构同步捕捉到到，素来对走势会有高分辨率催化的挂钩市场竞争，在跳和光起因至今，并未有所需增高，或是起因的产品急单的市场竞争催化，生产成本后端完全未放出止跌讯号，故预计此次跳和光并没有扭转硬盘供过于求的近来。

的机构将依靠从前对月份的生产成本预计，意即第三季DRAM生产成本将季跌约10%。（来自：世界性半导体捕捉到）

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